본 장비는 전력반도체 소자의 고온·고전압 조건에서 장기 신뢰성을 평가하기 위한 HTRB/HTGB 시험 시스템이다. HTRB(High Temperature Reverse Bias) 시험을 통해 고온 역바이어스 조건에서의 누설전류 및 차단 특성 변화를 평가하며, HTGB(High Temperature Gate Bias) 시험을 통해 고온 게이트 바이어스 조건에서의 게이트 절연막 신뢰성을 분석할 수 있다.
HTRB 및 HTGB 장시간 신뢰성 평가
고온·고전압 Bias Stress 인가
전력반도체 소자의 누설전류 및 열화 특성 분석
장시간 시험 데이터 모니터링 및 기록
HTRB 및 HTGB 전용 시험 보드 구성
TO-247-3L 패키지 전력반도체 소자
Power MOSFET 및 Power Diode
HTRB 및 HTGB 신뢰성 평가가 필요한 전력반도체 소자
최대 인가 전압: ± 2,000 V
Gate Bias: ± 5 V
온도 범위: RT ~ 200°C
HTRB Board
HTGB DUT Board