Semi Auto Probe Station (MSTECH社 / MST12000C)
Semi Auto Probe Station (MSTECH社 / MST12000C)
본 장비는 웨이퍼 상에서 전력반도체 소자의 전기적 특성 평가를 수행하기 위한 반자동 프로브 스테이션이다. 정밀 모터 구동 스테이지와 Auto-alignment 및 Wafer mapping 기능을 기반으로 측정 위치를 자동으로 정렬하고 반복 측정을 수행할 수 있어, 수동 방식 대비 높은 측정 재현성과 효율을 확보할 수 있다. 또한 외부 광 및 전기적 노이즈가 차단된 환경에서 웨이퍼 상의 개별 소자(die)를 직접 접촉 측정할 수 있어, 패키징 이전 단계에서 소자의 본질적인 전기적 특성을 안정적으로 분석할 수 있다.
웨이퍼 상 개별 다이(die) 단위 자동 정렬 및 연속 프로빙 측정 지원
수직형 및 수평형 전력반도체 소자 구조 측정 가능
Kelvin probing 및 다중 프로브 카드 구성 가능
깨진 웨이퍼 및 소형 샘플 측정 지원
초저누설 전류 측정 환경 (fA 수준)
조각 2 / 4 / 6 / 8 / 12-inch Wafer
최대 인가 전압: 10000 V
최대 측정 전류: 1500 A
온도 범위: 상온 ~ 200 ℃ Hot chuck 기반 고온 측정 가능